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IPA50R650CE

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPA50R650CE
Descripción: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 150µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V
Disipación de energía (máx.) 27.2W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-FP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 500V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 342pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 13V

En stock 65 pcs

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