IPA50R650CE
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IPA50R650CE |
Descripción: | MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | Super Junction |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 Full Pack |
Vgs(th) (Max) - Id | 3.5V @ 150µA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 650mOhm @ 1.8A, 13V |
Disipación de energía (máx.) | 27.2W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO220-FP |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 15nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 500V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 342pF @ 100V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6.1A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
En stock 65 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1