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FDFME3N311ZT

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDFME3N311ZT
Descripción: MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.4W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-MicroFET (1.6x1.6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 1.4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 75pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 95 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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