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IMZ120R350M1HXKSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IMZ120R350M1HXKSA1
Descripción:	COOLSIC MOSFETS 1200V
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	CoolSiC™
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-4
Vgs(th) (Max) - Id	5.7V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	350mOhm @ 2A, 18V
Disipación de energía (máx.)	60W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TO247-4-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	5.3nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	1.2kV
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	182pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	4.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V