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R6030JNZ4C13

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: R6030JNZ4C13
Descripción: R6030JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 7V @ 5.5mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 143mOhm @ 15A, 15V
Disipación de energía (máx.) 370W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247G
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 74nC @ 15V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2500pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 15V

En stock 30 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$9.08 $8.90 $8.72
Mínimo: 1

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