IMZ120R090M1HXKSA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IMZ120R090M1HXKSA1 |
Descripción: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolSiC™ |
Tipo FET | N-Channel |
Vgs (máx.) | +23V, -7V |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-247-4 |
Vgs(th) (Max) - Id | 5.7V @ 3.7mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
Disipación de energía (máx.) | 115W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO247-4-1 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 21nC @ 18V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1.2kV |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 707pF @ 800V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 26A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
En stock 99 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$15.80 | $15.48 | $15.17 |
Mínimo: 1