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IMW120R090M1HXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IMW120R090M1HXKSA1
Descripción: COOLSIC MOSFETS 1200V
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolSiC™
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) +23V, -7V
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 5.7V @ 3.7mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 117mOhm @ 8.5A, 18V
Disipación de energía (máx.) 115W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO247-3-41
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1.2kV
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 707pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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