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IMW120R090M1HXKSA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IMW120R090M1HXKSA1 |
| Descripción: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | CoolSiC™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (máx.) | +23V, -7V |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 5.7V @ 3.7mA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
| Disipación de energía (máx.) | 115W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO247-3-41 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 21nC @ 18V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1.2kV |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 707pF @ 800V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 26A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
En stock 79 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $14.85 | $14.55 | $14.26 |
Mínimo: 1
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