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IMZ120R140M1HXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IMZ120R140M1HXKSA1
Descripción: COOLSIC MOSFETS 1200V
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolSiC™
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) +23V, -7V
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-4
Vgs(th) (Max) - Id 5.7V @ 2.5mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 182mOhm @ 6A, 18V
Disipación de energía (máx.) 94W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO247-4-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1.2kV
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 454pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V

En stock 92 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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