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IGOT60R070D1AUMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IGOT60R070D1AUMA1
Descripción: IC GAN FET 600V 60A 20DSO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolGaN™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) -10V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 1.6V @ 2.6mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs -
Disipación de energía (máx.) 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-DSO-20-87
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 380pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) -

En stock 593 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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