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IPT60R028G7XTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPT60R028G7XTMA1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ G7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1.44mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 28mOhm @ 28.8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 391W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-HSOF-8-2
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 123nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4820pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1936 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$15.38 $15.07 $14.77
Mínimo: 1

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