La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
IGLD60R070D1AUMA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IGLD60R070D1AUMA1 |
| Descripción: | IC GAN FET 600V 60A 8SON |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | CoolGaN™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | -10V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-LDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | - |
| Disipación de energía (máx.) | 114W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-LSON-8-1 |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 600V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 380pF @ 400V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 15A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
En stock 94 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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