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SCTH90N65G2V-7

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SCTH90N65G2V-7
Descripción: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) +22V, -10V
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de pieza base SCTH90
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 26mOhm @ 50A, 18V
Disipación de energía (máx.) 330W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores H2PAK-7
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 157nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3300pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 18V

En stock 71 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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