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BTS282ZE3180AATMA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BTS282ZE3180AATMA2
Descripción: MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TEMPFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Temperature Sensing Diode
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 240µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-7-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 232nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 49V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4800pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 1625 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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