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TSM60NB190CZ C0G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TSM60NB190CZ C0G
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 33.8W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 31nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1273pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 3972 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.65 $2.60 $2.55
Mínimo: 1

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