BSG0811NDATMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | BSG0811NDATMA1 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 2.5W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TISON-8 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1100pF @ 12V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 19A, 41A |
En stock 39 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1