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BSC750N10NDGATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: BSC750N10NDGATMA1
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. 26W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Número de pieza base BSC750N10
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 12µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 75mOhm @ 13A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TDSON-8-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 720pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.2A

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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