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BSG0810NDIATMA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | BSG0810NDIATMA1 |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Característica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 2.5W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TISON-8 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 25V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1040pF @ 12V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 19A, 39A |
En stock 80 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.04 | $1.02 | $1.00 |
Mínimo: 1
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