FDMD8900
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | FDMD8900 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V POWER |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Standard |
Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
Potencia - Máx. | 2.1W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 12-PowerWDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 4mOhm @ 19A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 12-Power3.3x5 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 35nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2605pF @ 15V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 19A, 17A |
En stock 61 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1