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FDMD8900

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: FDMD8900
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V POWER
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. 2.1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 12-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4mOhm @ 19A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 12-Power3.3x5
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 35nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2605pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 19A, 17A

En stock 61 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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