La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BSC039N06NSATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSC039N06NSATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.8V @ 36µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TDSON-8-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 27nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2000pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 19A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 71 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.83 $1.79 $1.76
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BSC500N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
SI7135DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
FDMS86263P
ON Semiconductor
$1.11
SIR882DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
R6020KNJTL
ROHM Semiconductor
$2.98