La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BSC500N20NS3GATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSC500N20NS3GATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 60µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 22A, 10V
Disipación de energía (máx.) 96W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TDSON-8-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1580pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 24A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 84 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SI7135DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
FDMS86263P
ON Semiconductor
$1.11
SIR882DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
R6020KNJTL
ROHM Semiconductor
$2.98
HAT2169H-EL-E
Renesas Electronics America
$0