Image is for reference only , details as Specifications

IXTH21N50

Fabricantes:	IXYS
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXTH21N50
Descripción:	MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	IXYS
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	MegaMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	250mOhm @ 10.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247 (IXTH)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	190nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	500V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4200pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V