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IXFH60N65X2

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFH60N65X2
Descripción: MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 5.5V @ 4mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 52mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 780W (Tc)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 107nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6180pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 316 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$8.23 $8.07 $7.90
Mínimo: 1

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