IXTH200N10T
Fabricantes: | IXYS |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IXTH200N10T |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | IXYS |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchMV™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 550W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-247 (IXTH) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 152nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 9400pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 200A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 140 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$6.02 | $5.90 | $5.78 |
Mínimo: 1