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IXTH200N10T

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTH200N10T
Descripción: MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMV™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 550W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247 (IXTH)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 152nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 9400pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 140 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.02 $5.90 $5.78
Mínimo: 1

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