SCT2H12NZGC11
Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SCT2H12NZGC11 |
Descripción: | MOSFET N-CH 1700V 3.7A |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ROHM Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | +22V, -6V |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-3PFM, SC-93-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 900µA |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
Disipación de energía (máx.) | 35W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-3PFM |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 14nC @ 18V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1700V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 184pF @ 800V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 3.7A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
En stock 629 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$5.95 | $5.83 | $5.71 |
Mínimo: 1