Image is for reference only , details as Specifications

SCT2H12NZGC11

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SCT2H12NZGC11
Descripción: MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) +22V, -6V
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3PFM, SC-93-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 900µA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Disipación de energía (máx.) 35W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3PFM
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1700V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 184pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 18V

En stock 629 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.95 $5.83 $5.71
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRFP4468PBF
Infineon Technologies
$5.95
IPP60R099C6XKSA1
Infineon Technologies
$5.87
IPA60R099C6XKSA1
Infineon Technologies
$5.87
IXTA6N50D2
IXYS
$5.78
IRFP90N20DPBF
Infineon Technologies
$5.73