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IXTF6N200P3

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTF6N200P3
Descripción: MOSFET N-CH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Polar™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso ISOPLUSi5-Pak™
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.2Ohm @ 3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 215W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores ISOPLUS i4-PAC™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 143nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 2000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3700pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 59 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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