IXTF6N200P3
Fabricantes: | IXYS |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IXTF6N200P3 |
Descripción: | MOSFET N-CH |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | IXYS |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Polar™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | ISOPLUSi5-Pak™ |
Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 4.2Ohm @ 3A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 215W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | ISOPLUS i4-PAC™ |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 143nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 2000V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3700pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 59 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$21.59 | $21.16 | $20.74 |
Mínimo: 1