IXTN32P60P
Fabricantes: | IXYS |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IXTN32P60P |
Descripción: | MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | IXYS |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PolarP™ |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 350mOhm @ 500mA, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 890W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-227B |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 196nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 600V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 11100pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 32A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 89 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$24.05 | $23.57 | $23.10 |
Mínimo: 1