La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
IXTA1R6N100D2HV
| Fabricantes: | IXYS |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IXTA1R6N100D2HV |
| Descripción: | MOSFET N-CH |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | IXYS |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | Depletion Mode |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4.5V @ 100µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Disipación de energía (máx.) | 100W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-263HV |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 27nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1000V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 645pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1.6A (Tj) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
En stock 62 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.59 | $2.54 | $2.49 |
Mínimo: 1
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