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IRFSL4127PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFSL4127PBF
Descripción: MOSFET N-CH 200V 72A TO-262
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 22mOhm @ 44A, 10V
Disipación de energía (máx.) 375W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-262
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 150nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5380pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 72A (Tc)

En stock 59 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.58 $2.53 $2.48
Mínimo: 1

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