IXFT80N65X2HV
Fabricantes: | IXYS |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IXFT80N65X2HV |
Descripción: | MOSFET N-CH |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | IXYS |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HiPerFET™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 4mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Disipación de energía (máx.) | 890W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-268HV |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 140nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 8300pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 80A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 89 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$10.04 | $9.84 | $9.64 |
Mínimo: 1