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IXTT10N100D2
| Fabricantes: | IXYS |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IXTT10N100D2 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | IXYS |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | Depletion Mode |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) - Id | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.5Ohm @ 5A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 695W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-268 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 200nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1000V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 5320pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 10A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 96 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $10.51 | $10.30 | $10.09 |
Mínimo: 1
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