Image is for reference only , details as Specifications

IXFA4N60P3

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFA4N60P3
Descripción: MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™, Polar3™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.2Ohm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 114W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263 (IXFA)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 365pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.50 $1.47 $1.44
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IXTP90N055T2
IXYS
$1.5
IXTY1N100P
IXYS
$1.5
IPI65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
$1.5
FCPF290N80
ON Semiconductor
$1.5
TK11A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.5