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IPI65R280E6XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPI65R280E6XKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ E6
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 440µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 280mOhm @ 4.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO262-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 45nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 950pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 86 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.50 $1.47 $1.44
Mínimo: 1

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