La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
MURT20060R
| Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Ficha técnica: | MURT20060R |
| Descripción: | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Bulk |
| Tipo de diodo | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | Three Tower |
| Configuración de diodos | 1 Pair Common Anode |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Three Tower |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 160ns |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 25µA @ 50V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 600V |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 1.7V @ 100A |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200A (DC) |
En stock 52 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $93.46 | $91.59 | $89.76 |
Mínimo: 1
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