MURT20010R
Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
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Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Ficha técnica: | MURT20010R |
Descripción: | DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Empaquetado | Bulk |
Tipo de diodo | Standard |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caso | Three Tower |
Configuración de diodos | 1 Pair Common Anode |
Paquete de dispositivos de proveedores | Three Tower |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa - Vr | 25µA @ 50V |
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 100V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 1.3V @ 100A |
Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200A (DC) |
En stock 82 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$93.46 | $91.59 | $89.76 |
Mínimo: 1