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MURT20010R

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Arrays
Ficha técnica: MURT20010R
Descripción: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Arrays
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Bulk
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso Three Tower
Configuración de diodos 1 Pair Common Anode
Paquete de dispositivos de proveedores Three Tower
Tiempo de recuperación inversa (trr) 75ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 25µA @ 50V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 100V
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1.3V @ 100A
Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo) 200A (DC)

En stock 82 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$93.46 $91.59 $89.76
Mínimo: 1

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