GA20SICP12-247
Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | GA20SICP12-247 |
Descripción: | TRANS SJT 1200V 45A TO247 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | - |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 50mOhm @ 20A |
Disipación de energía (máx.) | 282W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-247AB |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3091pF @ 800V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 45A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
En stock 87 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1