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GA20SICP12-247

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: GA20SICP12-247
Descripción: TRANS SJT 1200V 45A TO247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET -
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 20A
Disipación de energía (máx.) 282W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247AB
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3091pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 45A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) -

En stock 87 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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