Image is for reference only , details as Specifications

IPD50R380CEATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD50R380CEATMA1
Descripción: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ CE
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 260µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 380mOhm @ 3.2A, 13V
Disipación de energía (máx.) 98W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 24.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 500V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 584pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 13V

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

DMN2400UFDQ-7
Diodes Incorporated
$0
DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated
$0
DMG2302UQ-7
Diodes Incorporated
$0
SIPC26N60S5X1SA1
Infineon Technologies
$0
IPP024N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0