La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
FDS3890
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | FDS3890 |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 900mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 44mOhm @ 4.7A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOIC |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 35nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 80V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1180pF @ 40V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4.7A |
En stock 5371 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.66 | $1.63 | $1.59 |
Mínimo: 1
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