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ZXMN6A11DN8TA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: ZXMN6A11DN8TA
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.8W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA (Min)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 330pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.5A

En stock 4000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.45 $0.44 $0.43
Mínimo: 1

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