ZXMN6A11DN8TA
Fabricantes: | Diodes Incorporated |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | ZXMN6A11DN8TA |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Diodes Incorporated |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 1.8W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 250µA (Min) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 5.7nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 330pF @ 40V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.5A |
En stock 4000 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.45 | $0.44 | $0.43 |
Mínimo: 1