Image is for reference only , details as Specifications

DMT3006LFV-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMT3006LFV-13
Descripción: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7mOhm @ 9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerDI3333-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1155pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 87 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.25 $0.25 $0.24
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRFHM8334TRPBF
Infineon Technologies
$0
NTMFS4927NCT1G
ON Semiconductor
$0.25
DMT3009LFVWQ-7
Diodes Incorporated
$0.25
NTMFS4C024NT3G
ON Semiconductor
$0.25
SSM3J304T(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0