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DMT3009LFVWQ-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMT3009LFVWQ-7
Descripción:	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount, Wettable Flank
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	11mOhm @ 14.4A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	823pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	12A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	3.8V, 10V