DMT10H015LCG-7
Fabricantes: | Diodes Incorporated |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | DMT10H015LCG-7 |
Descripción: | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Diodes Incorporated |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) - Id | 3.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | V-DFN3333-8 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 33.3nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1871pF @ 50V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9.4A (Ta), 34A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 52 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.38 | $0.37 | $0.36 |
Mínimo: 1