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DMT10H015LCG-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMT10H015LCG-7
Descripción: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores V-DFN3333-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 33.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1871pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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