Image is for reference only , details as Specifications

DMT10H015LCG-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMT10H015LCG-13
Descripción:	MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id	3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	15mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)	1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	V-DFN3333-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	33.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1871pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9.4A (Ta), 34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V