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DMP2006UFGQ-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMP2006UFGQ-7
Descripción: MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerDI3333-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 200nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7500pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

En stock 55 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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