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DMP2006UFGQ-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMP2006UFGQ-13
Descripción:	MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	2.3W (Ta), 41W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerDI3333-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	200nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	7500pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	17.5A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V