DMN63D8LDW-13
Fabricantes: | Diodes Incorporated |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | DMN63D8LDW-13 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Diodes Incorporated |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 300mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 2.8Ohm @ 250mA, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-363 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 870nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 22pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 220mA |
En stock 52 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.04 | $0.04 | $0.04 |
Mínimo: 1