La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDMS1D2N03DSD

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: FDMS1D2N03DSD
Descripción: PT11N 30/12 & PT11N 30/12
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PQFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NVMFD5873NLT1G
ON Semiconductor
$0
SH8K39GZETB
ROHM Semiconductor
$0
IPG20N04S4L07AATMA1
Infineon Technologies
$0
NTMFD5C680NLT1G
ON Semiconductor
$0
SH8M31GZETB
ROHM Semiconductor
$0