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DMN10H220LE-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN10H220LE-13
Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Número de pieza base DMN10H22
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 220mOhm @ 1.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-223
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 401pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 3335 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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