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SQ3425EV-T1_GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SQ3425EV-T1_GE3
Descripción:	MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id	1.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	6-TSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	10.3nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	840pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	7.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V