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DMN10H170SVT-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN10H170SVT-13
Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores TSOT-26
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1167pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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