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DMN1008UFDF-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN1008UFDF-13
Descripción: MOSFET N-CH30V SC-59
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8mOhm @ 5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 700mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores U-DFN2020-6 (Type F)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23.4nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 995pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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