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SI2372DS-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI2372DS-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CHAN 30V SOT23
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 33mOhm @ 3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23-3 (TO-236)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 288pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 72277 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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